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正文:DRAM与Flash存储单元内容差异及高速信号眼图分析详解
DRAM与Flash存储单元内容差异及高速信号眼图分析详解
来源:网络整理2025-01-15

华为硬件技术工程师面试机器考试题及答案

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1. 对错题 [8x4]

1. ( ) DRAM上电时,存储单元的内容全为0,而Flash上??电时,存储单元的内容全为1。

2. ( ) 眼图可用于分析高速信号的码间干扰、抖动、噪声和衰减。

3. ( ) 以太网交换机将冲突域限制在每个端口,提高网络性能。

4. ( ) 放大电路输出信号的非线性失真是由电路中晶体管的非线性引起的。

5. ( )1 的 8 位二进制补码为 0000_0001,-1 的 8 位二进制补码为 1111_1111。

6.( )洗衣机、冰箱等家用电器均使用三孔插座,因为如果不接地,家用电器就无法工作。

7. ( ) 十进制数据0x5a 与0xa5 异或运算结果为:0x00。

8. ( ) 硅二极管的正向压降比锗二极管大。

2.多项选择题[17x4]

1、空气平行板电容器,两级之间的距离为d,充电后极板间的电压为u。然后断开电源,在板之间平行插入一块厚度为d/3的金属板。此时,电容器原极板间电压变为

AU/3 B.2U/3 C.3U/4 D。无变化

2. 8086CPU 包含哪些单元?

A.ALU,EU B.ALU,BIU C.EU,BIU D.ALU,EU,BIU

3、为了避免50Hz电网电压对放大器的干扰,应该使用什么样的滤波器:

A. 带阻滤波器 B. 带通滤波器 C. 低通滤波器 D. 高通滤波器

4.关于SRAM和DRAM,下列说法正确的是:

A、SRAM需要定期刷新,否则数据会丢失;

B.DRAM利用内部电容来存储信息;

C.SRAM比DRAM集成度更高;

D、只要不掉电,DRAM中的数据就不会丢失;

5、RS232串口中,采用哪种验证方式:

A. CRC 校验 B. 海明码校验 C. 多种校验方法的组合 D. 奇偶校验

6、对于D触发器来说,为了保证可靠采样,在时钟信号上升沿到来之前,数据必须持续稳定一段时间。这次被称为

A. 保持时间 B. 恢复时间 C. 稳定时间 D. 设置时间

7、本征半导体中添加()元素可形成N型半导体

A. 五价 B. 四价 C. 三价 D. 二价

8、模拟信号数字化的过程是

A. 采样->量化->编码 B. 采样->编码->量化

C. 编码->采样->量化 D. 量化->编码->采样

9、Buck电路中,不能降低纹波的措施有:

A、采用多路并联方式;

B、内置开关管,提高电源的开关频率;

C、输出滤波电容由瓷片电容改为容性电解电容;

D、增大输出滤波电感。

10、如图所示电路中,开关K断开和闭合时a、b端子的等效电阻Rab分别为:

A.10Ω、8Ω B.8Ω、10Ω C.10Ω、10Ω D.10Ω、16Ω

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11.关于PCI总线的描述,错误的是什么?

A. PCI总线是16位宽的总线;

B.PCI地址线和数据线复用;

C. PCI是与处理器无关的总线标准,可以支持多种处理器;

D.PCI支持即插即用功能,总线宽度为32/64位。

12. 中继器、以太网交换机和路由器分别工作在 OSI 模型的哪个级别?

A. 物理层、链路层、网络层 B. 物理层、网络层、链路层

C. 物理层、链路层、传输层 D. 链路层、链路层、网络层

13、某电路对100KHz以下的低频信号干扰比较敏感。为了减少干扰,应使用()滤波器。

A. 高通 B. 低通 C. 带阻 D. 带通

14.捕获毛刺并使用最佳触发方法()来触发

A. 宽度 B. 边缘 C. 毛刺 D. 状态

15、下列哪些信号异常可以用逻辑分析仪测试:

A. 信号占空比超过标准 B. 信号上升缓慢

C. 6 个信号组合异常 D. 信号抖动过大

16、8421代码10010111所代表的十进制数为:

A.98 B.151 C.97 D.227

17、晶体管产生放大作用的外部条件是:

A. 发射结反向偏置,集电极结正向偏置。 B.发射结正向偏置,集电极结正向偏置。

C. 发射结反向偏置,集电极结反向偏置。 D.发射结正向偏置,集电极结反向偏置。

答案与分析

1. 对错题 [8x4]

1.(N)【分析】FLASH可以保存

2.(中)

3.(是)

4.(中)

5.(是)

6.(中)

7.(是)

8.(是)

2.多项选择题[17x4]

1.B.2U/3

【分析】

电容器的大小不是由Q(电荷)或U(电压)决定的,即:C=εS/4πkd。 (ε是常数,S是电容极板的面对面积,d是电容极板之间的距离,k是静电力常数。)普通平行板电容器的电容量为C=εS/d 。 (ε为极板间介质的介电常数,S为极板面积,d为极板间距离)电容器的电势能计算公式为:E=CU^2/2=QU/ 2.

2.C.EU、BIU

【分析】

80x86从功能上分为执行单元EU(Execution Unit)和总线接口单元BIU(Bus InteRFace Unit)。执行单元由8个16位通用寄存器、1个16位标志寄存器、1个16位临时寄存器、1个16位算术逻辑单元ALU和EU控制电路组成。总线接口单元由4个16位段寄存器(CS、DS、SS、ES)、1个16位指令指针寄存器、1个用于与EU通信的内部临时寄存器、1个指令队列、1个计算20位It组成由物理地址加法器Σ和总线控制电路组成。

3. A. 带阻滤波器

4.B.DRAM利用内部电容来存储信息

【分析】

SRAM和DRAM都是随机存取存储器。当机器断电时,两者的信息都会丢失。它们之间最大的区别在于,DRAM是利用电容中有无电荷来表示信息0和1。为了防止电容漏电而导致读取信息的错误,需要对电容进行周期性的充电,即,神清气爽;而SRAM则使用触发器的两个元件。一个稳定的状态来表示信息0和1,所以不需要刷新。此外,SRAM具有比DRAM更高的存取速度,通常用作高速缓冲存储器。

5.D.奇偶校验

6. D. 成立时间

【分析】

建立/保持时间是测试芯片的输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触发器时钟信号上升沿到来之前数据稳定的时间。输入信号应提前时钟上升沿(如果上升沿有效)T时间到达芯片,这个T就是建立时间-Setup time。如果不满足建立时间,则该数据无法通过该时钟输入触发器。只有数据可以在下一个时钟的上升沿输入触发器。保持时间是指触发器时钟信号上升沿后数据稳定的时间。如果保持时间不够,数据将是相同的。触发器的建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold time)不能输入。建立时间是指数据信号在时钟沿之前需要保持不变的时间。保持时间是指时钟沿之后的数据。

7、本征半导体中添加()元素可形成N型半导体

A、五种价格

8. A. 采样->量化->编码

9. C. 输出滤波电容由陶瓷电容改为容性电解电容。

10.C.10Ω、10Ω

11. A. PCI总线是16位宽的总线

12. C. 物理层、链路层、传输层

【分析】

物理层:将数据转换成可以通过物理介质发送的电子信号,相当于邮局里的搬运工

链路层:决定如何访问网络介质。该层构建数据并处理流量控制。该层指定拓扑并提供硬件寻址。相当于邮局的打包和拆包工人

网络层:通过大型网络路由使用权数据,相当于邮局的分拣工人。传输层:提供端到端的可靠连接,相当于公司里运行邮局的邮件投递员。

会话层:允许用户使用简单易记的名称建立连接,相当于公司里的秘书发信、写信封、拆信封。

表示层:协商数据交换格式,相当于公司的助理,给老板汇报情况,给老板写信。

应用层:用户应用程序与网络之间的接口

13.A.高通

14.C.故障

15、A.信号占空比超标

16.C.97

17. D. 发射结正向偏置,集电极结反向偏置。

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